सिलिकॉन कॅपेसिटन्स
-
SSLC471M2B79A
व्याप्ती • तपशील सिंगल लेयर कॅपेसिटरला लागू होतो.• प्रकार: SSLC471M2B79A रचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बॅकसाइड (कॅथोड): Ti /Au = 5000A ~ 6000A • डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार 0± 02 मिमी (0± 02 मिमी) चिप आकार * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डासिंग केल्यानंतर) : 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • जाडी: 0.210 ± 0.015 मिमी • नमुना रेखाचित्र: प्रति अंजीर.1 विद्युत वैशिष्ट्ये -
SSLC122M2A79A
व्याप्ती • तपशील सिंगल लेयर कॅपेसिटरला लागू होतो.• प्रकार : SSLC122M2A79A रचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बॅकसाइड (कॅथोड): Ti /Au = 5000A ~ 6000A • डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार ± 0± 02 मिमी (02 मिमी) चिप आकार * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डासिंग केल्यानंतर) : 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • जाडी: 0.210 ± 0.015 मिमी • नमुना रेखाचित्र: प्रति अंजीर.1 विद्युत वैशिष्ट्ये -
SSLC103M1A79A
व्याप्ती • तपशील सिंगल लेयर कॅपेसिटरला लागू होतो.• प्रकार : SSLC103M1A79A संरचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बॅकसाइड (कॅथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार 0±02 मिमी (0± 02 मिमी) चिप आकार * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डासिंग केल्यानंतर) : 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • जाडी: 0.210 ± 0.015 मिमी • नमुना रेखाचित्र: प्रति अंजीर.1 विद्युत वैशिष्ट्ये -
SSLC102M1C80A
व्याप्ती • तपशील सिंगल लेयर कॅपेसिटरला लागू होतो.• प्रकार: SSLC102M1C80A रचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बॅकसाइड (कॅथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डायलेक्ट्रिक कॉन्स्टंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार ±0 ± 02 मिमी (20 मिमी) चिप आकार * 0.830 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डासिंग केल्यानंतर) : 0.800 ± 0.03 मिमी * 0.800 ± 0.03 मिमी • जाडी: 0.210 ± 0.015 मिमी • नमुना रेखाचित्र: प्रति अंजीर.1 विद्युत वैशिष्ट्ये
